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Fabricação PARALELA do FLASH 512M IC de S29GL512T11FAIV10 IC Chip Tool IC
Detalhes do produto:
| Número do modelo: | S29GL512T11FAIV10 |
Condições de Pagamento e Envio:
| Detalhes da embalagem: | Fita & carretel (TR) |
|---|---|
| Tempo de entrega: | 1-2 dias do trabalho |
| Termos de pagamento: | D/A, T/T, Western Union |
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Informação detalhada |
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| Tempo de acesso: | 110ns | Tipo da memória: | Permanente |
|---|---|---|---|
| Estado sem chumbo/estado de RoHS: | Verificação/RoHS do inventário do pedido não-complacente | Descrição detalhada: | FLASH - NEM memória IC 512Mb (64M x 8) 110ns paralelo |
| Tensão - fonte: | 1,65 V ~ 3,6 V | Tamanho de memória: | 512Mb (64M x 8) |
Descrição de produto
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| Relação da memória: | Paralelo |
|---|---|
| Escreva o tempo de ciclo - palavra, página: | 60ns |
| Nível da sensibilidade de umidade (MSL): | 3 (168 horas) |
| Série: | GL-T |
| Formato da memória: | FLASH |
| Tecnologia: | FLASH - NEM |
| Temperatura de funcionamento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Destaques quentes das ofertas
| Modelo do produto | Tipo |
| MMBZ33VAL | NEXPERIA |
| MAX96706GTJ/V+T | MÁXIMA |
| MAX823SEUK+T | MÁXIMA |
| MAX809SEUR+T | MÁXIMA |
| MAX705ESA+T | MÁXIMA |
| MAX6063AEUR+T | MÁXIMA |
| MAX485EPA+ | MÁXIMA |
| MAX485EESA+T | MÁXIMA |
| MAX40200ANS+T | MÁXIMA |
| MAX3491ESD+T | MÁXIMA |
Problema comum
Q: Como inquirir/ordem S29GL512T11FAIV10?
: Clique por favor “obtêm o melhor preço” e clicam-no então “SUBMETEM-SE”. Citações do pedido.
Q: Inquérito/ordem S29GL512T11FAIV10, quanto tempo posso eu obter uma resposta?
: Após ter recebido a informação, nós contactá-lo-emos pelo e-mail o mais cedo possível.
Q: Como pagar após ter pedido S29GL512T11FAIV10?
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