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STF10N60M2 semicondutor discreto, MOSFET N-CH de 600V TO-220FP
Detalhes do produto:
| Número do modelo: | STF10N60M2 |
Condições de Pagamento e Envio:
| Detalhes da embalagem: | Fita e Carretel (TR) |
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| Tempo de entrega: | 1-2 dias úteis |
| Termos de pagamento: | D/A, T/T, Western Union |
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Informação detalhada |
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| Drene à tensão da fonte (Vdss): | 600V | Dissipação de poder (máxima): | 25W (Tc) |
|---|---|---|---|
| Pacote/caso: | Bloco TO-220-3 completo | Montando o tipo: | Através do furo |
| Empacotamento: | Tubo | Pacote do dispositivo do fornecedor: | TO-220FP |
| Destaque: | Semicondutor STF10N60M2 discreto,600V MOSFET N-CH,MOSFET N-CH DE TO-220FP |
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Descrição de produto
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| Identificação de Vgs (th) (máximo) @: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Estado sem chumbo/estado de RoHS: | Sem chumbo/RoHS complacente |
| Descrição detalhada: | N-canal 600V 7.5A (Tc) 25W (Tc) através do furo TO-220FP |
| Nível da sensibilidade de umidade (MSL): | 1 (ilimitado) |
| Tipo do FET: | N-canal |
| Série: | Sinal de adição de MDmesh™ II |
| Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C: | 7.5A (Tc) |
| Outros nomes: | 497-13945-5 STF10N60M2-ND |
| Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: | 400pF @ 100V |
| Vgs (máximo): | ±25V |
| RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: | 600 mOhm @ 4A, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (óxido de metal) |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 13.5nC @ 10V |
| Temperatura de funcionamento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Problema comum
Q: Como inquirir/ordem STF10N60M2?
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