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MOSFET discreto N-CH 650V 16A TO220FP do semicondutor STF24N65M2
Detalhes do produto:
| Número do modelo: | STF24N65M2 |
Condições de Pagamento e Envio:
| Detalhes da embalagem: | Fita e Carretel (TR) |
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| Tempo de entrega: | 1-2 dias úteis |
| Termos de pagamento: | D/A, T/T, Western Union |
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Informação detalhada |
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| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss): | 650V | Dissipação de energia (máx.): | 30W (Tc) |
|---|---|---|---|
| Pacote/caso: | TO-220-3 Pacote Completo | Montando o tipo: | Através do furo |
| Empacotamento: | TUBO | Pacote de dispositivos do fornecedor: | TO-220FP |
Descrição de produto
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| Identificação de Vgs (th) (máximo) @: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Estado sem chumbo/estado de RoHS: | Sem chumbo/RoHS complacente |
| Descrição detalhada: | N-canal 650V 16A (Tc) 30W (Tc) através do furo TO-220FP |
| Nível da sensibilidade de umidade (MSL): | 1 (ilimitado) |
| Tipo do FET: | N-canal |
| Série: | MDmesh™ M2 |
| Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C: | 16A (Tc) |
| Outros nomes: | 497-15270-5 |
| Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: | 1060pF @ 100V |
| Vgs (máximo): | ±25V |
| RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: | 230 mOhm @ 8A, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (óxido de metal) |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 29nC @ 10V |
| Temperatura de funcionamento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Problema comum
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