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STB28N65M2 MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK dos circuitos integrados CI
Detalhes do produto:
| Número do modelo: | STB28N65M2 |
Condições de Pagamento e Envio:
| Detalhes da embalagem: | Fita e Carretel (TR) |
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| Tempo de entrega: | 1-2 dias úteis |
| Termos de pagamento: | D/A, T/T, Western Union |
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Informação detalhada |
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| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss): | 650V | Dissipação de energia (máx.): | 170W (Tc) |
|---|---|---|---|
| Pacote/caso: | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | Montando o tipo: | Montagem de superfície |
| Empacotamento: | Fita Cortada (CT) | Pacote de dispositivos do fornecedor: | D2PAK |
Descrição de produto
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| Identificação de Vgs (th) (máximo) @: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Estado sem chumbo/estado de RoHS: | Sem chumbo/RoHS complacente |
| Descrição detalhada: | Montagem D2PAK da superfície 170W do N-canal 650V 20A (Tc) (Tc) |
| Característica do FET: | - |
| Nível da sensibilidade de umidade (MSL): | 1 (ilimitado) |
| Fabricante Standard Lead Time: | 42 semanas |
| Tipo do FET: | N-canal |
| Série: | MDmesh™ M2 |
| Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C: | 20A (Tc) |
| Outros nomes: | 497-15456-1 |
| Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: | 1440pF @ 100V |
| Vgs (máximo): | ±25V |
| RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: | 180 mOhm @ 10A, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (óxido de metal) |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
| Temperatura de funcionamento: | 150°C (TJ) |
Problema comum
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