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SQJA20EP-T1_GE3 MOSFET N-CH 200V PWRPAK SO-8L dos circuitos integrados CI
Detalhes do produto:
| Número do modelo: | SQJA20EP-T1_GE3 |
Condições de Pagamento e Envio:
| Detalhes da embalagem: | Fita e Carretel (TR) |
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| Tempo de entrega: | 1-2 dias úteis |
| Termos de pagamento: | D/A, T/T, Western Union |
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Informação detalhada |
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| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss): | 200V | Dissipação de energia (máx.): | 68W (Tc) |
|---|---|---|---|
| Pacote/caso: | PowerPAK® SO-8 | Montando o tipo: | Montagem de superfície |
| Empacotamento: | Fita e Carretel (TR) | Pacote de dispositivos do fornecedor: | PowerPAK® SO-8 |
Descrição de produto
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| Identificação de Vgs (th) (máximo) @: | 3.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On): | 7.5V, 10V |
| Estado sem chumbo/estado de RoHS: | Sem chumbo/RoHS complacente |
| Descrição detalhada: | Montagem PowerPAK® SO-8 da superfície 68W do N-canal 200V 22.5A (Tc) (Tc) |
| Característica do FET: | - |
| Nível da sensibilidade de umidade (MSL): | 1 (ilimitado) |
| Tipo do FET: | N-canal |
| Série: | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C: | 22.5A (Tc) |
| Outros nomes: | SQJA20EP-T1_GE3TR |
| Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: | 1300pF @ 25V |
| Vgs (máximo): | ±20V |
| RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: | 50 mOhm @ 10A, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (óxido de metal) |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 27nC @ 10V |
| Temperatura de funcionamento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Problema comum
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